[发明专利]自旋转移矩存储器中的写入操作有效
| 申请号： | 201580005930.9 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105917410B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | H.奈米;S-L.卢;C.奥古斯丁 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;姜甜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述用于自旋转移矩(STT)存储器中的写入操作的设备、系统和方法。在一个实施例中，一种控制器包括用于下列步骤的逻辑：识别自旋转移矩(STT)存储器的一行中将要设置成平行状态的第一多个单元以及STT存储器的该行中将要设置成反平行状态的第二多个单元，掩蔽对该行中的第二多个单元的写入操作，将第一多个单元设置成平行状态，掩蔽对该行中的第一多个单元的写入操作，并且将第二多个单元设置成反平行状态。还公开并且要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 转移 存储器 中的 写入 操作 | ||
【主权项】：
1.一种控制器，包括用于下列步骤的逻辑：识别自旋转移矩(STT)存储器的一行中将要设置成平行状态的第一多个单元以及所述STT存储器的所述行中将要设置成反平行状态的第二多个单元；掩蔽对所述行中的所述第二多个单元的写入操作；将所述第一多个单元设置成平行状态；掩蔽对所述行中的所述第一多个单元的写入操作；以及将所述第二多个单元设置成反平行状态。
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