[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201580005757.2 申请日: 2015-01-16
公开(公告)号: CN105934834B 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 西格弗里德·赫尔曼;斯特凡·伊莱克;弗兰克·辛格 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L25/16;H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 提出一种用于制造半导体器件(100)的方法,其中提供载体(1),所述载体具有第一绝缘层(12)、由第一绝缘层至少局部地覆盖的镜层(13)和联接元件(41),其中载体具有露出的、平坦的安装面(11)并且联接元件穿过第一绝缘层延伸至安装面。此外提供主体(2),所述主体具有半导体本体(20)、第二绝缘层(22)和用于电接触半导体本体的接触元件(42),其中主体具有露出的、平坦的接触面(21)并且接触元件穿过第二绝缘层延伸至接触面。主体与载体连接,其中平坦的接触面与平坦的安装面汇聚以形成连接面(3)并且接触元件和联接元件彼此电连接。此外提出一种这样的半导体器件,其中镜层构成为是平的,在俯视图中侧向突出于主体,并且连接面(3)不具有连接材料。
搜索关键词: 半导体器件 用于 制造 方法
【主权项】:
1.一种用于制造半导体器件(100)的方法,所述方法具有下列步骤:‑A)提供载体(1),所述载体具有第一绝缘层(12)、由所述第一绝缘层至少局部地覆盖的镜层(13)和联接元件(41),其中所述载体具有露出的、平坦的安装面(11)并且所述联接元件穿过所述第一绝缘层延伸至安装面,‑B)提供主体(2),所述主体具有半导体本体(20)、第二绝缘层(22)和用于电接触所述半导体本体的接触元件(42),其中所述主体具有露出的、平坦的接触面(21)并且所述接触元件穿过所述第二绝缘层延伸至接触面,以及‑C)连接所述主体与所述载体,其中所述平坦的接触面和所述平坦的安装面汇聚以形成连接面(3),并且所述接触元件和所述联接元件彼此电连接,其方式为:所述载体(1)和所述主体(2)借助于直接的粘结方法彼此连接,其中在所述载体(1)和所述主体(2)之间形成的所述连接面(3)不具有连接材料、胶粘剂和焊料,其中所述连接面(3)局部地通过氧化物‑氧化物界面、金属‑金属界面和氧化物‑金属界面形成。
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