[发明专利]读出电阻式存储器比特单元的状态的方法和系统有效

专利信息
申请号: 201580003618.6 申请日: 2015-01-05
公开(公告)号: CN105900177B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: W·吴;V·纳拉亚南;K·H·L·阮 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G11C7/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张扬;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了采用控制电路来在状态读出期间解耦电阻式存储器读出输入以防止电流反注的读出放大器以及相关的方法和系统。在一个实施例中,提供了一种读出放大器。所述读出放大器包括耦合到比特线的差分读出输入。所述读出放大器还包括耦合到参考线的差分参考输入。第一反相器将第一反相器输入反转为耦合到第二反相器的第二反相器输入的第一反相器输出,第一反相器输出被配置为提供比特单元的状态。第二反相器将第二反相器输入反转为耦合到所述第一反相器输入的第二反相器输出。控制电路在锁存模式下将差分参考输入耦合到第一反相器并且将差分读出输入耦合到第二反相器,并且在读出模式下将差分参考输入从第一反相器解耦并且将差分读出输入从第二反相器解耦,以在第一反相器输出上提供比特单元的读出状态。
搜索关键词: 采用 控制电路 状态 读出 期间 电阻 存储器 输入 防止 电流 放大器 以及 相关 方法 系统
【主权项】:
1.一种用于读出电阻式存储器比特单元的状态的读出放大器,其包括:差分读出输入,所述差分读出输入被配置为耦合到电阻式存储器比特单元的比特线;差分参考输入,所述差分参考输入被配置为耦合到参考线;第一反相器,其被配置为将第一反相器输入反转为耦合到第二反相器的第二反相器输入的第一反相器输出,所述第一反相器输出被配置为提供所述电阻式存储器比特单元的读出状态;所述第二反相器,其被配置为将所述第二反相器输入反转为耦合到所述第一反相器输入的第二反相器输出;以及控制电路,其被配置为:在所述电阻式存储器比特单元的锁存模式下将所述差分参考输入耦合到所述第一反相器并且将所述差分读出输入耦合到所述第二反相器;在所述电阻式存储器比特单元的读出模式下将所述差分参考输入从所述第一反相器解耦并且将所述差分读出输入从所述第二反相器解耦,以在所述第一反相器输出上提供所述电阻式存储器比特单元的所述读出状态;以及在所述电阻式存储器比特单元的所述锁存模式下将所述差分参考输入耦合到所述第一反相器并且将所述差分读出输入耦合到所述第二反相器之前,将所述第一反相器从高电压源和低电压源解耦,并且将所述第二反相器从所述高电压源和所述低电压源解耦。
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