[发明专利]用于减少太阳能电池的光致衰退的方法及设备

摘要

太阳能晶圆的LID的减少是通过曝光到连续或断续的通过一产生3‑10Sol的增强型光源ELS的高强度的全光谱的光辐射HILR达到，其中HILR是选配地在成形气体的存在中或者/并且加热到从100℃到350℃的范围内。HILR是由用于独立的大量/连续的处理的ELS模组所提供、或是在晶圆生产线中被整合在一晶圆烧结炉的下游的一高强度的光区域HILZ中。一种指驱动晶圆传输是在该整合的炉/HILZ中提供200‑400吋/分钟的连续的无阴影的处理速度。在该峰值烧结的区域中的晶圆驻留时间是1～2秒。晶圆是在该些HILZ‑ELS模组的前的一淬火区域中，从850℃‑1050℃的峰值烧结温度立即被冷却。在该HILZ中的驻留时间是从约10秒到5分钟，较佳的是10～180秒。断续的HILR曝光是通过电子控制、一遮罩、旋转的开槽的板、或是移动的带来加以产生。

主权项

一种用于处理用于太阳能电池的Si晶圆以降低产生自该太阳能电池在曝露到太阳光的期间的使用中的操作的光致衰退(Light Induced Degradation，LID)的设备，其是包括以下的操作性组合：a.用于在处理区域中将Si晶圆保持在大致水平的平面上的装置，该Si晶圆具有顶表面以及底表面，其是被定向成该顶表面是面向上地，同时被维持在该处理区域的该水平的平面上；b.输出高强度的全光谱的光辐射(HILR)的至少一延伸光源(Extended Light Source，ELS)，其是被设置在该处理区域中而在该Si晶圆的顶表面之上，以将该Si晶圆顶表面曝露到超过3Sol的HILR一段足以降低该晶圆原本将会呈现的LID效应的时间期间。