[发明专利]用于减少太阳能电池的光致衰退的方法及设备

权利要求书

1.一种用于处理用于太阳能电池的Si晶圆以降低产生自该太阳能电池在曝露到太阳光的期间的使用中的操作的光致衰退(LightInducedDegradation，LID)的设备，其是包括以下的操作性组合：

a.用于在处理区域中将Si晶圆保持在大致水平的平面上的装置，该Si晶圆具有顶表面以及底表面，其是被定向成该顶表面是面向上地，同时被维持在该处理区域的该水平的平面上；

b.输出高强度的全光谱的光辐射(HILR)的至少一延伸光源(ExtendedLightSource，ELS)，其是被设置在该处理区域中而在该Si晶圆的顶表面之上，以将该Si晶圆顶表面曝露到超过3Sol的HILR一段足以降低该晶圆原本将会呈现的LID效应的时间期间。

2.如权利要求1的设备，其中用于将该晶圆保持在大致水平的平面上的该装置是包括输送带系统，以用于复数个Si晶圆依序地通过该些晶圆的处理的区域的受控制的连续的传输，以用于通过利用超过3Sol的该HILR的该ELS来曝光一段该时间期间。

3.如权利要求2的设备，其中该HILR是由包括从LEP、LED、氙或是卤素光源所选的ELS的模组所提供，并且该光源是利用在其上游的高强度的IR/UV灯来加以补光、或是与其组合以构成整合的ELS/IRUV灯模组。

4.如权利要求3的设备，其中复数个IR、UV、ELS或是ELS/IRUV模组是以直线序列来加以排列，以界定用于连续的处理的该处理区域。

5.如权利要求1的设备，其包含用于在该处理区域中曝露到HILR的期间加热该晶圆超过100℃的加热器装置。

6.如权利要求4的设备，其包含用于在该些晶圆被传输通过该HILR处理区域时的曝露到HILR的期间加热该晶圆超过100℃的加热器装置。

7.如权利要求5的设备，其包含用于断续地将该晶圆曝露到HILR的装置。

8.如权利要求6的设备，其包含用于断续地将该晶圆曝露到HILR的装置。

9.如权利要求8的设备，其中该HILR强度是在3-10Sol的范围中，该ELS是从LEP灯以及利用IR或/及UV灯来加以补光的LEP灯中选出，该加热是被控制在从100℃到350℃的范围内，该时间期间是在从10秒到5分钟的范围中，并且该用于断续地将该晶圆曝露到HILR的装置是包括被插置在该LEP灯与该些晶圆之间的开槽的遮罩，使得当该些晶圆在传输通过该HILR区域期间而横越在该开槽的遮罩之下时，HILR以及阴影的交替的带是横越该晶圆的顶表面。

10.如权利要求6的设备，其包含从扩散炉以及金属化炉中选出的晶圆烧结炉，其是被设置在该HILR处理区域的上游，并且连接至该HILR处理区域，该晶圆烧结炉是包含晶圆输送带系统，并且该晶圆烧结炉输送带系统是延伸到该HILR处理区域的输送带中并且作用为该HILR处理区域的输送带。

11.一种处理用于太阳能电池的Si晶圆以降低产生自该太阳能电池在曝露到太阳光的期间的使用中的操作的光致衰退(LID)效应的方法，其包括以下步骤：

a.将具有顶部平的表面以及底部平的表面的Si晶圆定位成该顶表面是面向上地；

b.利用超过3Sol的高强度的全光谱的光辐射(HILR)来曝光该Si晶圆的顶表面一段足以降低该晶圆原本将会呈现的LID效应的时间期间。

12.如权利要求11的方法，其包含在大致水平的处理路径中连续且依序地输送复数个Si晶圆通过处理区域，同时将该Si晶圆的该顶表面曝露至超过3Sol的该HILR一段从10秒到5分钟的该时间期间的步骤。

13.如权利要求12的方法，其中该HILR是由包括从LEP、LED、氙或是卤素光源中选出的ELS的模组所提供，并且该光源是利用在其上游的高强度的IR/UV灯来加以补光、或是与其组合以构成整合的ELS/IRUV灯模组。

14.如权利要求11的方法，其包含在该曝露到HILR的期间加热该晶圆超过100℃的步骤。

15.如权利要求13的方法，其包含在该曝露到HILR的期间加热该晶圆超过100℃的步骤。