[发明专利]氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶和半导体器件在审
| 申请号： | 201580000813.3 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN105246856A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 宫永美纪;绵谷研一;曾我部浩一 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/336;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了：包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，该氧化物烧结体包括红绿柱石型晶相作为主要成分，表观密度高于6.5g/cm3且等于或低于7.1g/cm3，并且钨含量与铟、钨和锌的总含量比高于1.2原子％且低于30原子％，且锌与铟、钨和锌的总计的含量比大于1.2原子％且小于30原子％；还提供了一种包括这种氧化物烧结体的溅射靶；和一种包括通过使用该溅射靶，通过溅射法形成的氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 及其 制造 方法 溅射 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中所述氧化物烧结体包括红绿柱石型晶相作为主要成分，并且具有高于6.5g/cm3且等于或低于7.1g/cm3的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨与铟、钨和锌的总计的含量比高于1.2原子％且低于30原子％，并且所述氧化物烧结体中的锌与铟、钨和锌的总计的含量比高于1.2原子％且低于30原子％。
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