[实用新型]基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积的石墨烯纳米墙有效

专利信息
申请号: 201521142521.7 申请日: 2015-12-30
公开(公告)号: CN205335089U 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 郝奕舟;陈剑豪;王天戌 申请(专利权)人: 广州墨储新材料科技有限公司
主分类号: H01G11/36 分类号: H01G11/36;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/86;C23C16/513;C23C16/26
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 姜海荣
地址: 510623 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本实用新型涉及一种基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积的石墨烯纳米墙,包括衬底、石墨烯墙阵列及多个石墨烯分叉,所述石墨烯墙阵列垂直长在所述衬底上,多个所述石墨烯分叉长在所述石墨烯片一侧或两侧。本实用新型的方法石墨烯墙生长速度和传统技术相比有数倍提高,不存在石墨烯层之间的团聚和堆叠,有利于后续制备超级电容器,锂离子电容器时纳米颗粒的吸附,进而有利于提高纳米颗粒在石墨烯片中的分散,同时以高表面积的石墨烯墙和石墨烯分叉作为介质和模版进行纳米颗粒的生长,可以有效避免了纳米颗粒在热处理以及后续使用过程中的团聚且可以极大的提高用该发明的石墨烯纳米墙制备得到的超级电容器的比电容和导电率。
搜索关键词: 基于 电磁场 强化 等离子体 化学 沉积 石墨 纳米
【主权项】:
一种基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积的石墨烯纳米墙,其特征在于,包括衬底、石墨烯墙阵列及多个石墨烯分叉,所述石墨烯墙阵列中的石墨烯片垂直长在所述衬底上,多个所述石墨烯分叉长在所述石墨烯墙阵列中每个石墨烯片一侧或两侧。
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