[实用新型]基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积的石墨烯纳米墙有效

专利信息
申请号: 201521142521.7 申请日: 2015-12-30
公开(公告)号: CN205335089U 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 郝奕舟;陈剑豪;王天戌 申请(专利权)人: 广州墨储新材料科技有限公司
主分类号: H01G11/36 分类号: H01G11/36;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/86;C23C16/513;C23C16/26
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 姜海荣
地址: 510623 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 电磁场 强化 等离子体 化学 沉积 石墨 纳米
【权利要求书】:

1.一种基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积的石墨烯纳米墙,其 特征在于,包括衬底、石墨烯墙阵列及多个石墨烯分叉,所述石墨烯墙阵列 中的石墨烯片垂直长在所述衬底上,多个所述石墨烯分叉长在所述石墨烯墙 阵列中每个石墨烯片一侧或两侧。

2.根据权利要求1所述一种基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积 的石墨烯纳米墙,其特征在于,所述石墨烯墙阵列中石墨烯片厚度为1-20纳 米,高度为0.5-5微米,所述石墨烯分叉由1至10层单层石墨烯构成。

3.根据权利要求1所述一种基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积 的石墨烯纳米墙,其特征在于,所述石墨烯墙阵列中的石墨烯片之间的距离 为10-200纳米。

4.根据权利要求1至3任一项所述一种基于电磁场强化的等离子体化 学气相沉积的石墨烯纳米墙,其特征在于,所述衬底上具有金纳米颗粒,所 述石墨烯墙阵列中石墨烯片生长在所述金纳米颗粒上。

5.根据权利要求4所述一种基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积 的石墨烯纳米墙,其特征在于,所述金纳米颗粒粒径为1-20纳米。

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