[实用新型]基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积的石墨烯纳米墙有效
申请号: | 201521142521.7 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN205335089U | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 郝奕舟;陈剑豪;王天戌 | 申请(专利权)人: | 广州墨储新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01G11/36 | 分类号: | H01G11/36;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/86;C23C16/513;C23C16/26 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 姜海荣 |
地址: | 510623 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 电磁场 强化 等离子体 化学 沉积 石墨 纳米 | ||
1.一种基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积的石墨烯纳米墙,其 特征在于,包括衬底、石墨烯墙阵列及多个石墨烯分叉,所述石墨烯墙阵列 中的石墨烯片垂直长在所述衬底上,多个所述石墨烯分叉长在所述石墨烯墙 阵列中每个石墨烯片一侧或两侧。
2.根据权利要求1所述一种基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积 的石墨烯纳米墙,其特征在于,所述石墨烯墙阵列中石墨烯片厚度为1-20纳 米,高度为0.5-5微米,所述石墨烯分叉由1至10层单层石墨烯构成。
3.根据权利要求1所述一种基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积 的石墨烯纳米墙,其特征在于,所述石墨烯墙阵列中的石墨烯片之间的距离 为10-200纳米。
4.根据权利要求1至3任一项所述一种基于电磁场强化的等离子体化 学气相沉积的石墨烯纳米墙,其特征在于,所述衬底上具有金纳米颗粒,所 述石墨烯墙阵列中石墨烯片生长在所述金纳米颗粒上。
5.根据权利要求4所述一种基于电磁场强化的等离子体化学气相沉积 的石墨烯纳米墙,其特征在于,所述金纳米颗粒粒径为1-20纳米。
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