[实用新型]一种NPN型晶体管芯片有效
| 申请号： | 201521140847.6 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN205595307U | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 崔聪;张文彬;王旗 | 申请（专利权）人： | 长春半导体有限公司西安分公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710118 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种NPN型晶体管芯片，包括作为基区的硅片2，所述的硅片2的表面设置有一层均匀的乳胶源层1，乳胶源层1为硼铝乳胶源，硅片2包括第一硅片201和第二硅片202，乳胶涂层1与第二硅片202分别设置在第一硅片201相对两个的表面，第一硅片201的厚度第二硅片202小于第二硅片202的厚度。本实用新型的NPN型晶体管芯片的扩散源即硼铝乳胶源在硅片表面上均匀分布，使扩散源在硅片表面浓度和结深分散性小，电参数离散型小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 npn 晶体管 芯片 | ||
【主权项】：
一种NPN型晶体管芯片，其特征在于，包括作为基区的硅片(2)，所述的硅片(2)的表面设置有一层均匀的乳胶源层(1)，乳胶源层(1)的材质为BAl双杂质乳胶源，硅片(2)上设置乳胶源层(1)的表面为抛光面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
