[实用新型]一种自散热大功率整体LED封装有效

专利信息
申请号: 201521102813.8 申请日: 2015-12-28
公开(公告)号: CN205355073U 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 严其艳;刘勇求;杨立波;王华荣 申请(专利权)人: 广东科技学院
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/06
代理公司: 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 代理人: 梁年顺
地址: 523000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种自散热大功率整体LED封装,包括有金属散热底座,所述金属散热底座上设有多个LED外延片;所述LED外沿片,包括有金属衬底,所述金属衬底的底面设有进气开孔,所述金属衬底的两个侧面均设有出气开孔,所述两个出气开孔与进气开孔联通;其首先解决了整体封装的问题,通过散热孔以及散热通道的设置,实现了自散热功能。
搜索关键词: 一种 散热 大功率 整体 led 封装
【主权项】:
一种自散热大功率整体LED封装,其特征在于:包括有金属散热底座(a1),所述金属散热底座(a1)上设有多个LED外延片(a2);所述LED外沿片,包括有金属衬底(1),所述金属衬底(1)的底面设有进气开孔(11),所述金属衬底(1)的两个侧面均设有出气开孔(12),所述两个出气开孔(12)与进气开孔(11)联通;所述金属衬底(1)顶面还延伸有凸壳(13),所述凸壳(13)内填充设有压电陶瓷层(2);所述金属衬底(1)上方设有GaN 缓冲层(3);所述GaN 缓冲层(3)上设有P‑GaN 接触层(4);所述P‑GaN 接触层(4),其一侧设有第一多量子阱发光层(51),其另一侧设有第二多量子阱发光层(52);所述第一多量子阱发光层(51)远离P‑GaN 接触层(4)的一侧设有第一N‑GaN 接触层(61);所述第二多量子阱发光层(52)远离P‑GaN 接触层(4)的一侧设有第二N‑GaN 接触层(62);所述P‑GaN 接触层(4)的顶面电性连接有P 型电极;所述第一N‑GaN 接触层(61)远离第一多量子阱发光层(51)的一侧电性连接有第一N型电极(71);所述第二N‑GaN 接触层(62)远离第二多量子阱发光层(52)的一侧电性连接有第二N型电极(72);还包括有用于封装LED外延片(a2)的封装部(a3),所述封装部(a3)上设有多个出气通道(a5),所述出气通道(a5)用于将出气开孔(12)与外界连通;所述金属散热底座(a1)设有多个进气通道(a4),所述进气通道(a4)用于将进气开孔(11)与外界连通。
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