[实用新型]集成电路

摘要

本实用新型的各个实施例涉及集成电路。集成电路包括有源区，该有源区位于半导体衬底之上。空腔与有源区接界，并且在绝缘区中尽可能远地延伸到半导体区域的附近。提供绝缘多层，并且导电接触在该绝缘多层内延伸以存在于有源区上并且进入到空腔内。绝缘多层包括第一绝缘层，该第一绝缘层覆盖了在接触外部的有源区并且衬覆空腔的壁。附加绝缘层覆盖了第一绝缘层的衬覆空腔的壁的部分。接触到达在空腔中的附加绝缘层。绝缘区域位于由围绕接触的绝缘材料制成的附加绝缘层和第一绝缘层之上。

主权项

一种集成电路，其特征在于，包括：至少一个有源区，所述至少一个有源区位于半导体衬底之上，空腔，所述空腔与有源区接界，并且在绝缘区中延伸到半导体区域的附近，绝缘多层；以及导电接触，所述导电接触在所述绝缘多层内、存在于所述有源区上并且进入到所述空腔中，其中所述绝缘多层包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖了在所述接触外部的所述有源区，至少部分地衬覆所述空腔的壁，并且具有定位在所述接触与所述半导体区域之间的区段，绝缘区域，所述绝缘区域在所述第一绝缘层之上，包括围绕所述接触的至少一种绝缘材料，以及附加绝缘层，所述附加绝缘层具有：第一部分，覆盖了在所述接触外部的所述第一绝缘层；以及第二部分，定位在所述接触外部，在所述至少一种绝缘材料内，并且与所述第一绝缘层的至少部分地衬覆所述空腔的所述壁的所述部分相隔一定距离。