[实用新型]n型锗生长结构和半导体器件有效
| 申请号： | 201520886096.6 | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN205211757U | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 周志文;叶剑锋;李世国 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 518029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种n型锗生长结构和半导体器件。本实用新型n型锗生长结构包括Si衬底和依次生长在所述Si衬底表面的Si1-xGex缓冲层、Ge本征层、Si阻挡层和n型Ge掺杂层；其中，所述x为0＜x≤1。本实用新型半导体器件包括本实用新型n型锗生长结构。本实用新型n型锗生长结构中的Si阻挡层能够有效阻碍n型杂质向Ge本征层扩散，从而提高n型Ge掺杂层的电子浓度，形成陡峭的掺杂界面。本实用新型半导体器件性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种n型锗生长结构，包括Si衬底和依次生长在所述Si衬底表面的Si1‑xGex缓冲层、Ge本征层、Si阻挡层和n型Ge掺杂层；其中，所述x为0＜x≤1。
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