[实用新型]SiC高温电容压力传感器有效
| 申请号： | 201520848774.X | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN205102963U | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 沈富德 | 申请（专利权）人： | 江苏矽莱克电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213024 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及高温压力传感器，尤其是一种SiC高温电容压力传感器。一种SiC高温电容压力传感器，由SiC敏感元件、柱状AIN衬底、引线和筒状可伐合金外壳组成，所述SiC敏感元件由两片SiC晶片构成，SiC晶片间具有真空参考腔体，所述AIN衬底的上端面外沿处均布有若干引线，其上端面的中部通过粘合玻璃与SiC敏感元件粘合，AIN衬底的直径为10mm，AIN衬底通过封接玻璃粘合在可伐合金外壳的内壁上，所述封接玻璃的厚度为2.5mm。本实用新型对SiC电容压力传感器封装结构及其参数进行优化，减小器件在高温工作时产生的热应力，提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | sic 高温 电容 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种SiC高温电容压力传感器，其特征在于：由SiC敏感元件(1)、柱状AIN衬底(2)、引线(3)和筒状可伐合金外壳(4)组成，所述SiC敏感元件(1)由两片SiC晶片构成，SiC晶片间具有真空参考腔体，所述AIN衬底(2)的上端面外沿处均布有若干引线(3)，其上端面的中部通过粘合玻璃(5)与SiC敏感元件(1)粘合，AIN衬底(2)的直径为10mm，所述粘合玻璃(5)的厚度为2.5mm，AIN衬底(2)通过封接玻璃(6)粘合在可伐合金外壳(4)的内壁上。
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