[实用新型]一种高透太阳能电池防湿膜有效
| 申请号： | 201520841685.2 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN205177863U | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李伟明;蓝银锋 | 申请（专利权）人： | 汕头市东通光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 北京精金石专利代理事务所(普通合伙) 11470 | 代理人： | 刘晔 |
| 地址： | 515071 广东省汕头市濠江区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种高透太阳能电池防湿膜，主要包括有：基材层、氧化物层组、中间光学膜层、介电质层和紫外光吸收层，所述氧化物层组包括氧化钛层和碳化硅层，所述氧化钛层位于基材层的上表面，所述碳化硅层位于氧化钛层上表面，所述中间光学膜层位于碳化硅层上表面，所述介电质层位于中间光学膜层的上表面，所述紫外光吸收层位于基材层的下表面。本实用新型提供的高透太阳能电池防湿膜利用氧化物层组作为阻水层，大大简化了现有技术中复杂的防水膜层结构，同时设置中间光学膜层增强阳光的透射率，另外设置介电质层和紫外光吸收层能够增强太阳能电池对光的吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 防湿 | ||
【主权项】：
一种高透太阳能电池防湿膜，其特征在于主要包括有：基材层、氧化物层组、中间光学膜层、介电质层和紫外光吸收层，所述氧化物层组包括氧化钛层和碳化硅层，所述氧化钛层位于基材层的上表面，所述碳化硅层位于氧化钛层上表面，所述中间光学膜层位于碳化硅层上表面，所述介电质层位于中间光学膜层的上表面，所述紫外光吸收层位于基材层的下表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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