[实用新型]一种高透太阳能电池防湿膜有效
| 申请号： | 201520841685.2 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN205177863U | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李伟明;蓝银锋 | 申请（专利权）人： | 汕头市东通光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 北京精金石专利代理事务所(普通合伙) 11470 | 代理人： | 刘晔 |
| 地址： | 515071 广东省汕头市濠江区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 防湿 | ||
1.一种高透太阳能电池防湿膜，其特征在于主要包括有：基材层、氧化物层组、中间光学膜层、介电质层和紫外光吸收层，所述氧化物层组包括氧化钛层和碳化硅层，所述氧化钛层位于基材层的上表面，所述碳化硅层位于氧化钛层上表面，所述中间光学膜层位于碳化硅层上表面，所述介电质层位于中间光学膜层的上表面，所述紫外光吸收层位于基材层的下表面。
2.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于：所述中间光学膜层为碳氧化硅层、氮氧化硅层或碳氮氧化硅层。
3.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于：所述基材层为可弹性弯折的聚对苯二甲酸乙二醇酯层。
4.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于：所述基材层的厚度为50μm~125μm。
5.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于：所述氧化钛层的厚度为10nm~20nm。
6.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于：所述碳化硅层的厚度为20nm~25nm。
7.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于：所述中间光学膜层的厚度为15nm~25nm。
8.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于：所述介电质层的厚度为50nm~100nm。
9.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于：所述紫外光吸收层的厚度为30nm~50nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
