[实用新型]化学机械抛光装置

摘要

涉及化学机械抛光装置，包括：抛光平板，上面被抛光垫覆盖；抛光头，形成有被多个隔壁分割的多个压力腔室，隔膜的底板位于压力腔室的下侧，通过调节压力腔室的压力，使位于底板下侧的晶片在被加压的状态下进行旋转；浆料供给部，向抛光垫和晶片中的至少一个供给浆料；第一传感器，检测晶片的厚度分布；以及控制部，对化学机械抛光工序进行控制，从而在执行使晶片的抛光面达到预定的第一抛光厚度为止的化学机械抛光工序期间，一边调节压力腔室的气压，一边执行化学机械抛光工序，以减少第一传感器检测的晶片的厚度偏差，当达到第一抛光厚度后，自第一抛光厚度到目标厚度为止，不执行减少晶片的厚度偏差的抛光厚度偏差调整，而仅执行抛光工序。

主权项

一种化学机械抛光装置，用于对由氧化物材质形成的晶片的抛光层进行化学机械抛光，其特征在于，包括：抛光平板，上面被抛光垫覆盖；抛光头，形成有被多个隔壁分割的多个压力腔室，隔膜的底板位于所述压力腔室的下侧，通过调节所述压力腔室的压力，使位于所述底板的下侧的所述晶片在被加压的状态下进行旋转；浆料供给部，向所述抛光垫和所述晶片中的至少一个供给浆料；第一传感器，用于检测所述晶片的厚度分布；以及控制部，对化学机械抛光工序进行控制，从而在执行使所述晶片的抛光面达到预定的第一抛光厚度为止的化学机械抛光工序期间，一边调节所述压力腔室的气压，一边执行所述化学机械抛光工序，以减少所述第一传感器检测的所述晶片的厚度偏差，当达到所述第一抛光厚度后，自所述第一抛光厚度到目标厚度为止，不执行减少所述晶片的厚度偏差的抛光厚度偏差调整，而仅执行抛光工序。