[实用新型]半导体激光器单片式宏通道热沉有效
| 申请号： | 201520757400.7 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN205016831U | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 崔卫军 | 申请（专利权）人： | 北京弘光浩宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 赵慧 |
| 地址： | 100096 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体激光器单片式宏通道热沉，包括热沉主体，芯片安装区位于热沉主体的一端，水冷区位于靠近芯片安装区的位置，还包括上下贯通热沉主体的销孔，且所述销孔位于远离芯片安装区的一端。与现有技术相比，该半导体激光器单片式宏通道热沉结构更加紧凑合理，且散热效果也不会受到影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 单片 通道 | ||
【主权项】：
半导体激光器单片式宏通道热沉，包括热沉主体(1)，芯片安装区(2)位于热沉主体(1)的一端，水冷区(3)位于靠近芯片安装区(2)的位置，其特征在于，还包括上下贯通热沉主体(1)的销孔(6)，且所述销孔(6)位于远离芯片安装区(2)的一端。
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