[实用新型]半导体激光器单片式宏通道热沉

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体激光器设备领域，特别是一种半导体激光器单片式宏通道热沉。

背景技术

大功率半导体激光器在固体激光器泵浦、激光加工、激光医疗、美容等领域应用广泛，然而半导体激光器在工作时，会有约30％～50％电能会转化为热能损耗，且随着功率的增大，面临的散热要求就越苛刻。

目前半导体激光器的封装形式有整体宏通道和微通道。

对于高功率半导体激光器而言，采用整体宏通道方式，散热效率不高，一般只能达到几十瓦的输出功率，同时由于半导体激光叠阵是将多个半导体激光芯片(亦称巴条)紧密垂直排列而成的高功率模块，一个激光器芯片出现问题会导致整个激光器作废，若采用微通道热沉虽然能一定程度上改善散热效率，但热沉本身及其昂贵，使用过程中需要去离子水，成本较高，并且长时间使用一样会因为电化学反应导致微通道管壁腐蚀或堵塞，严重影响了半导体激光器的可靠性。

现有技术中，宏通道热沉的一端是激光芯片安装区，在激光芯片安装区附近设置水冷区，使用时，冷却液通过水冷区，为激光芯片降温。远离芯片安装区的一端设有通水孔，冷却液通过水冷区后，经过循环到达通水孔，对热沉在通水孔附近的部分起到二次散热的作用，在热沉的中部设置销孔，将多个热沉叠加后，连接件可穿过销孔将多个热沉固定组合起来。但是，申请人经过大量工程试验发现，冷却液在经过水冷区后，散热效果已经达到足够好的效果，上述的二次散热作用并不大，因此通水孔相当于占用了热沉主体较大的面积，但起到的作用却不明显，使得热沉结构不够紧凑，此外销孔设置在热沉的中部后，也会占用较大的空间。

有鉴于此，特提出本实用新型。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种半导体激光器单片式宏通道热沉，既保证了散热性能，又使得结构更加紧凑合理。

为了实现上述目的，本实用新型提供的一种半导体激光器单片式宏通道热沉，包括热沉主体，芯片安装区位于热沉主体的一端，水冷区位于靠近芯片安装区的位置，还包括上下贯通热沉主体的销孔，且所述销孔位于远离芯片安装区的一端。

优选地，所述热沉主体远离芯片安装区的一端表面设有第一密封凹槽，第一密封凹槽内设有一凸台，所述销孔位于该凸台处。

更优选地，所述凸台包括两条相互平行的侧壁，所述销孔从凸台的位置贯通所述热沉主体，且销孔的边缘与凸台两条相互平行的侧壁相切。

优选地，还包括第二密封凹槽，所述第二密封凹槽环绕于所述水冷区的周围。

优选地，所述热沉主体在背离所述芯片安装区所在的一面上设有第三密封凹槽和第四密封凹槽且位置分别与第一密封凹槽和第二密封凹槽对应。

优选地，所述销孔的数量为两个，两个销孔沿着热沉主体的宽边排列。

优选地，若过所述销孔的圆心作一条与热沉主体平行的基准线，则所述水冷区的几何中心到所述基准线的距离为7mm-12mm。

优选地，述水冷区上设有贯通热沉主体的格栅；格栅由至少两个平行排列的格栅孔组成，每个格栅孔包括两个相互平行的侧壁以及用于衔接两个侧壁的衔接端。

优选地，所述格栅孔的衔接端为圆弧形状，且

每个格栅孔中两个侧壁之间的距离明显小于侧壁的长度。

优选地，所述芯片安装区的两侧设置有缺口，且

水冷区的长度不小于芯片安装区的长度。

本实用新型提供的半导体激光器单片式宏通道热沉，将销孔设置在远离芯片安装区的一端，代替了现有技术中的通水孔，保证热沉主体长度可以被设计得更小，结构更加紧凑。

附图说明

图1为本实用新型所提供的半导体激光器单片式宏通道热沉的结构示意图；

图2为图1中半导体激光器单片式宏通道热沉的俯视图；

图3为格栅孔的俯视结构示意图；

图4为半导体激光器单片式宏通道热沉的立体透视结构图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。

请参考图1-3，本实用新型提供的半导体激光器单片式宏通道热沉，包括热沉主体1，芯片安装区2位于热沉主体1的一端，水冷区3位于靠近芯片安装区2的位置。