[实用新型]一种用于板式PECVD设备的石墨框有效
申请号: | 201520714692.6 | 申请日: | 2015-09-15 |
公开(公告)号: | CN205420543U | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 袁中存;党继东;张标;沈波涛 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 224000 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于板式PECVD设备的石墨框,包括复数个承载硅片的方格孔;石墨框的4条边上均设有复数个顶针结构;且位于石墨框四周边缘的方格孔内具有至少1个顶针结构,使其内放置的硅片高出方格孔所在的水平面。本实用新型使石墨框四周边缘的方格孔内的硅片与石墨框之间保持一定的距离,从而避免了电池片与石墨框之间的鞘层效应,并以此达到改善上镀膜边缘色差和效率偏低的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 板式 pecvd 设备 石墨 | ||
【主权项】:
一种用于板式PECVD设备的石墨框,包括复数个承载硅片的方格孔(1);其特征在于:石墨框的4条边(3)上均设有复数个顶针结构(4);且位于石墨框四周边缘的方格孔内具有至少1个顶针结构,使其内放置的硅片高出方格孔所在的水平面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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