[实用新型]一种辅助硅片刻蚀上料整齐的装置有效
| 申请号： | 201520670470.9 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN205028913U | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 王曼;史磊;钱金梁 | 申请（专利权）人： | 润峰电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B65G47/74 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 272000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种辅助硅片刻蚀上料整齐的装置，包括硅片输送装置，所述硅片输送装置侧端并排设置有硅片阻挡装置，所述硅片阻挡装置包括安装架，所述安装架上安装有固定板，所述固定板上安装有气动推进装置，所述气动推进装置的动力输出端安装有挡板，在气动推进装置呈伸展状态时，所述挡板的底面位于硅片输送装置的上方，与硅片相接触；所述气动推进装置侧端的固定板上还安装有感应装置，本实用新型可以有效的保证硅片在刻蚀工艺中要求的硅片整齐度，从而保证生产质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辅助 硅片 刻蚀 整齐 装置 | ||
【主权项】：
一种辅助硅片刻蚀上料整齐的装置，包括硅片输送装置，其特征在于所述硅片输送装置侧端并排设置有硅片阻挡装置，所述硅片阻挡装置包括安装架，所述安装架上安装有固定板，所述固定板上安装有气动推进装置，所述气动推进装置的动力输出端安装有挡板，在气动推进装置呈伸展状态时，所述挡板的底面位于硅片输送装置的上方，与硅片相接触；所述气动推进装置侧端的固定板上还安装有感应装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
