[实用新型]功率晶体管及其结终端结构

摘要

本实用新型涉及一种功率晶体管的结终端结构，包括：衬底；形成于衬底上且由内向外依次设置的过渡场限环、复合场限环结构和截止环；以及分压保护结构；分压保护结构中的栅氧化层形成于各掺杂区表面；场氧化层、第一介质层和第二介质层形成于各掺杂区一侧的衬底上且呈台阶依次向上分布；多晶硅场板部分覆盖栅氧化层且部分覆盖场氧化层；第一接触孔贯穿第一介质层且与多晶硅场板相连；金属场板部分覆盖第一介质层和第二介质层；金属场板与多晶硅场板通过第一接触孔连接。上述结终端结构能够提高功率晶体管的击穿电压且终端面积较小。本实用新型还涉及一种功率晶体管。

主权项

一种功率晶体管的结终端结构，形成于所述功率晶体管的有源区外围，其特征在于，所述结终端结构包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底上且由内向外依次设置的过渡场限环、复合场限环结构和截止环；所述复合场限环结构包括场限环以及位于所述场限环内侧的第一导电类型环；所述过渡场限环和所述场限环均为第二导电类型的掺杂区；所述截止环为第一导电类型的掺杂区；以及分压保护结构；所述分压保护结构包括栅氧化层、场氧化层、第一介质层、第二介质层、多晶硅场板和金属场板；所述栅氧化层形成于各掺杂区表面；所述场氧化层、所述第一介质层和所述第二介质层形成于各掺杂区一侧的衬底上且呈台阶依次向上分布；所述场氧化层的厚度大于所述栅氧化层的厚度；所述多晶硅场板部分覆盖所述栅氧化层且部分覆盖所述场氧化层；所述第一介质层设置有第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述第一介质层且与所述多晶硅场板相连；所述金属场板部分覆盖所述第一介质层和所述第二介质层；所述金属场板与所述多晶硅场板通过所述第一接触孔连接。