[实用新型]LED芯片外延结构有效
| 申请号： | 201520646621.7 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN204857767U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 庄德津 | 申请（专利权）人： | 青岛铝镓光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京市路盛律师事务所 11326 | 代理人： | 王桂玲;李宓 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种LED芯片外延结构，包括硅衬底层，硅衬底层上方从下到上依次设置有缓冲层、下接触层、发光层、上接触层以及透明导电层；其中缓冲层由间隔分布的从硅衬底层上凸出的若干个凸起形成。本实用新型采用硅衬底层和特殊设计的缓冲层，可以避免GaN生长的晶体缺陷，另外还设计了透明导电层，可以增加发光层的透光率，增大发光功率。本实用新型的缓冲层降低了外延层和衬底的接触面积，降低了二者应力不同对外延层晶体生长的不利影响。当应力增大时，应力作用于缓冲层的某些凸起上而非外延层上，避免由应力造成的外延层损伤。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种LED芯片外延结构，其特征在于：包括硅衬底层，所述硅衬底层上方从下到上依次设置有缓冲层、下接触层、发光层、上接触层以及透明导电层；其中所述缓冲层由间隔分布的从所述硅衬底层上凸出的若干个凸起形成。
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