[实用新型]紫外光发光二极管有效
| 申请号： | 201520550405.2 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN204809250U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 朴起延;许政勋;金华睦;韩建宇 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 示例性实施例提供了一种紫外光发光二极管。该UV光发光二极管包括：支撑衬底；设置在支撑衬底上的p型半导体层；设置在p型半导体层上的有源层；以及设置在有源层上的n型半导体层，其中n型半导体层包括第一n型半导体层，其在其至少一些区域中具有沿厚度方向持续变化的带隙能量。根据本实用新型的UV光发光二极管具有良好的结晶度。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外光 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种紫外光发光二极管，其包括：支撑衬底；设置在支撑衬底上的p型半导体层；设置在p型半导体层上的有源层；以及设置在有源层上的n型半导体层，其特征在于，n型半导体层包括第一n型半导体层，其所包括的至少一部分具有沿第一n型半导体层的厚度方向持续变化的带隙能量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司，未经首尔伟傲世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520550405.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：LED芯片
- 下一篇：用于人工智能图像处理器RGB排列结构
