[实用新型]一种硫化亚锡薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201520436776.8 | 申请日: | 2015-06-24 |
公开(公告)号: | CN204668323U | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
发明(设计)人: | 罗云荣;陈慧敏;陈春玲 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/0352 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410081 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硫化亚锡薄膜太阳能电池,所述太阳能电池具有玻璃衬底,在玻璃衬底上制备有P电极和N电极,P电极和N电极呈插指状,P电极上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜,P型硫化亚锡薄膜上完全覆盖有本征氧化锌薄膜,本征氧化锌薄膜与N电极不直接接触,本征氧化锌薄膜表面、N电极表面、本征氧化锌薄膜和N电极之外的间隙完全覆盖有N型硫化锌薄膜,N型硫化锌薄膜上制备有抗反射的氟化镁薄膜。此结构的优点在于,一方面,增加了太阳能电池的光吸收面积;另一方面,利用本征氧化锌的钝化作用,有效减少P型硫化亚锡薄膜和N型硫化锌薄膜的表面缺陷态密度,减少载流子的复合几率,增大光电流,提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 硫化 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种硫化亚锡薄膜太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池具有玻璃衬底,所述玻璃衬底上制备有P电极和N电极,所述P电极和N电极呈插指状,所述P电极上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜,所述P型硫化亚锡薄膜上完全覆盖有本征氧化锌薄膜,所述本征氧化锌薄膜与N电极不直接接触,N型硫化锌薄膜完全覆盖所述的本征氧化锌薄膜表面、N电极表面、以及本征氧化锌薄膜和N电极之外的间隙,所述N型硫化锌薄膜上制备有氟化镁薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的