[实用新型]微型硅光电二极管有效
| 申请号： | 201520177371.7 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN204538049U | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/028 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 樊文红 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 微型硅光电二极管，在低掺杂正方体P型硅晶片上高掺杂的N型硅层，形成PN+结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的N型硅层为圆角正方体，其特征是，所述低掺杂的正方体P型硅晶片的外周设有高掺杂的P型硅环，高掺杂的P型硅环和高掺杂的N型硅层之间隔着低掺杂P型硅层， N型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，低掺杂P型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。本实用新型体积小，灵敏度高，反向击穿电压高于30V，暗电流小于10nA。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 光电二极管 | ||
【主权项】：
微型硅光电二极管，在低掺杂正方体P型硅晶片上高掺杂的N型硅层，形成PN+结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的N型硅层为圆角正方体，其特征是，所述低掺杂的正方体P型硅晶片的外周设有高掺杂的P型硅环，高掺杂的P型硅环和高掺杂的N型硅层之间隔着低掺杂P型硅层， N型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，低掺杂P型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
