[实用新型]一种阵列基板、显示面板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201520163056.9 申请日: 2015-03-20
公开(公告)号: CN204464279U 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 刘凤娟;辛龙宝 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置,解决由于水、氧和氢基团会由氧化物TFT上方的钝化层渗透至氧化物TFT的有源层,使氧化物TFT的阈值电压发生较大的漂移,所导致的氧化物TFT性能降低甚至会失效的问题。所述阵列基板,包括衬底基板、形成于衬底基板上的氧化物TFT,所述氧化物TFT的上方设置有钝化层,所述钝化层包括第一膜层,所述第一膜层为氧化硅薄膜;所述钝化层还包括形成于所述第一膜层之上的第二膜层,所述第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层,所述第二膜层的靠近所述第一膜层的底层为氮化硅薄膜;其中,所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度。本实用新型还公开了一种显示面板和显示装置,包括上述的阵列基板。
搜索关键词: 一种 阵列 显示 面板 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,包括衬底基板、形成于衬底基板上的氧化物TFT,所述氧化物TFT的上方设置有钝化层,其特征在于,所述钝化层包括第一膜层,所述第一膜层为氧化硅薄膜;所述钝化层还包括形成于所述第一膜层之上的第二膜层,所述第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层,所述第二膜层的靠近所述第一膜层的底层为氮化硅薄膜;其中,所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度。
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