[实用新型]一种双层氮化硅薄膜电池结构

摘要

本实用新型提供一种双层氮化硅薄膜电池结构，其特征在于：包括电池基底，电池基底为硅片，所述电池基底依次镀上厚度不一的第二折射层、第一折射层，所述第二折射层及所述第一折射层均为氮化硅膜，所述第二折射层比所述第一折射层的厚度薄；所述第一折射层的厚度为55nm，所述第二折射层的厚度为30nm。本实用新型通过两步淀积完成制作，即在电池基底表面先镀一层高折射率厚度较薄的氮化硅膜，增加其钝化效果，然后在镀一层低折射率厚度稍后的氮化硅膜增强光学匹配性以减少光的反射。

主权项

一种双层氮化硅薄膜电池结构，其特征在于：包括电池基底(1)，电池基底(1)为硅片，所述电池基底(1)依次镀上厚度不一的第二折射层(2)、第一折射层(3)，所述第二折射层(2)及所述第一折射层(3)均为氮化硅膜，所述第二折射层(2)比所述第一折射层(3)的厚度薄；所述第一折射层(3)的厚度为55nm，所述第二折射层(2)的厚度为30nm。