[实用新型]用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置有效
| 申请号： | 201520125203.3 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN204491025U | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 唐明静;窦云巍;康彬;袁泽锐;张羽;尹文龙;方攀 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 刘渝 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置，它包括用于放置多晶原料的生长石英安瓿，在生长石英安瓿内中部套装有用于放置补偿料的石英管，所述石英管两端封闭，该石英管外壁上开设有通气孔。本实用新型的有益效果为：采用本装置可以使补偿料在高温区的分解可抑制生长料的分解，并且在生长过程中相当于进行双温区退火，有效地提高晶体品质，减少晶体缺陷，表现在生长所得的单晶分解产物减少，透光率升高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 生长 质量 补偿 放置 装置 | ||
【主权项】：
一种用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置，它包括用于放置多晶原料的生长石英安瓿(1)，在生长石英安瓿(1)内中部套装有用于放置补偿料的石英管(3)，所述石英管(3)两端封闭，该石英管(3)外壁上开设有通气孔(2)。
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