[实用新型]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201520120464.6 | 申请日： | 2015-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN204424301U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 寻飞林;郑锦坚;李志明;邓和清;杜伟华;钟志白;伍明跃;周启伦;林峰;李水清 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/10;H01L33/38 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管，包括衬底；依次位于所述衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；位于所述第二导电类型半导体层上的第二电极；其特征在于：所述第一导电类型半导体层的侧壁为倾斜状，且在所述侧壁上形成第一电极。通过将第一导电类型半导体层的侧壁制作成倾斜状，并在各侧壁形成环绕于第一导电类型半导体层的第一电极，增加有效发光面积，有效地增大了第一电极与第一导电类型半导体层的接触面积，从而降低电阻值，降低发光二极管电压，改善发光均匀性；此外，在倾斜状侧壁与第一电极之间设置金属反射层，如此可以将发光层发出的光线反射回去，从而提升正面的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括衬底；依次位于所述衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；位于所述第二导电类型半导体层上的第二电极；其特征在于：所述第一导电类型半导体层的侧壁为倾斜状，且在所述侧壁上形成第一电极。
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