[实用新型]LED芯片及使用该LED芯片的发光装置有效
| 申请号： | 201520104556.5 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN204538077U | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 吴飞翔;李庆;陈立人;蔡睿彦 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/02 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种LED芯片及使用该LED芯片的发光装置，其中，所述LED芯片包括：衬底；设置与所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；以及N型电极和P型电极；所述LED芯片上间隔地设置有至少两个盲孔，每个盲孔均穿过所述P型半导体层、发光层，及部分所述N型半导体层，且所述N型电极的一部分设置于所述盲孔内与所述N型半导体层电性连接。本实用新型通过设置穿过P型半导体层、发光层和部分N型半导体层的盲孔，增加了LED芯片和发光装置的发光面积，同时，减少了N型电极对侧光的吸收，大大增加了LED芯片和发光装置的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 使用 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括：衬底；设置与所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；以及N型电极和P型电极；其特征在于，所述LED芯片上间隔地设置有至少两个盲孔，每个盲孔均穿过所述P型半导体层、发光层，及部分所述N型半导体层，且所述N型电极的一部分设置于所述盲孔内与所述N型半导体层电性连接。
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