[发明专利]一种隔直电路和一种开关电路有效
申请号: | 201511025143.9 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105553455B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 戴若凡 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡杰赟;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种隔直电路和一种开关电路。所述隔直电路用于隔直直流偏置,所述隔直电路包括:串联的第一MOS管、第一电阻和第二电阻,以及与所述第一MOS管并联的第一电容,所述第一MOS管的栅极与所述第一电阻的第一端耦接,源极与所述隔直电路的输入端、所述第一电容的第一端耦接,漏极和所述第一电容的第二端耦接至所述隔直电路的输出端,所述第二电阻的第一端与所述第一MOS管的衬底端耦接,第二端接地,所述第一电阻的第二端耦接至第一控制信号,当所述第一控制信号为电源信号时,所述第一MOS管处于导通状态。本发明在保持高功率线性度不退化和结构简单的基础上,减小了电路面积,降低了插入损耗的退化程度。 | ||
搜索关键词: | 一种 电路 开关电路 | ||
【主权项】:
1.一种隔直电路,用于隔直直流偏置,其特征在于,所述隔直电路包括串联的第一MOS管、第一电阻和第二电阻,第三电阻,串联的第二MOS管、第四电阻和第五电阻,以及并联于所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的漏极的电容,所述第一MOS管的栅极与所述第一电阻的第一端耦接,源极与所述隔直电路的输入端、所述电容的第一端耦接,所述第二电阻的第一端与所述第一MOS管的衬底端耦接,第二端接地,所述第一电阻的第二端耦接至第一控制信号,当所述第一控制信号为电源信号时,所述第一MOS管处于导通状态,所述第二MOS管的栅极与所述第四电阻的第一端耦接,源极与所述第一MOS管的漏极耦接,漏极与所述隔直电路的输出端、所述电容的第二端耦接,所述第五电阻的第一端与所述第二MOS管的衬底端耦接,第二端接地,所述第四电阻的第二端耦接至所述第一控制信号,所述第三电阻的第一端耦接至所述第二MOS管的源极,第二端耦接至第二控制信号,当所述第一MOS管和所述第二MOS管处于导通状态时,所述第二控制信号为接地信号。
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