[发明专利]一种场终止型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201511023590.0 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106935499A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 芮强;邓小社 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场终止型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，其中，该方法包括提供第一掺杂浓度的N型硅衬底；在N型硅衬底表面通过外延生长形成N-漂移层，N-漂移层的掺杂浓度为第二掺杂浓度，第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度，N型硅衬底表面通过外延生长形成N-漂移层的一面为正面，另一面为背面；在N-漂移层上制备绝缘栅双极型晶体管正面结构；将N型硅衬底进行背面减薄，形成场终止层；在N型硅衬底背面注入P+杂质并背面退火形成P+集电区；在P+集电区上通过沉淀或蒸发的方法，形成背面金属电极，背面金属电极与P+集电区欧姆接触。采用该方法，可以解决现有场终止层制造工艺中产品成本较高、可靠性较差的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 终止 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场终止型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一掺杂浓度的N型硅衬底；在所述N型硅衬底表面通过外延生长形成N‑漂移层，所述N‑漂移层的掺杂浓度为第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度，所述N型硅衬底表面通过外延生长形成N‑漂移层的一面为正面，另一面为背面；在所述N‑漂移层上制备绝缘栅双极型晶体管正面结构；将所述N型硅衬底进行背面减薄，形成场终止层；在所述场终止层背面注入P+杂质并背面退火形成P+集电区；在所述P+集电区上通过沉淀或蒸发的方法，形成背面金属电极，所述背面金属电极与所述P+集电区欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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