[发明专利]一种柔性叠层太阳电池及制备方法有效
申请号: | 201511014726.1 | 申请日: | 2015-12-29 |
公开(公告)号: | CN105470338B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 姚聪;乔在祥;赵彦民;赵岳;申绪男 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种柔性叠层太阳电池及制备方法,涉及太阳电池技术领域,柔性叠层太阳电池依次包括透明衬底;位于上述透明导电衬底上的背电极层;位于上述背电极层上的铜铟镓硒活性层;位于上述铜铟镓硒活性层上的CdS缓冲层;位于上述CdS缓冲层上的窗口层;位于上述窗口层上的中间层;位于上述中间层上的电子传输层;位于上述电子传输层上的钙钛矿吸收层;位于上述钙钛矿吸收层上的空穴传输层;位于上述空穴传输层上的电极。该叠成太阳电池采用铜铟镓硒/钙钛矿作为光吸收层,可以最大限度提高对光的吸收,提高电池效率;另外,使用柔性衬底可以实现roll‑to‑roll工艺,使得大批量生产成为可能,提高在商业应用中的前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性叠层太阳电池的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤101、清洁聚酰亚胺膜表面:使用等离子体反溅刻蚀机,工作压强为0.3Pa,溅射功率为0.2kw,通过Ar对聚酰亚胺膜进行刻蚀清洁;清洁完成后剪裁至3cm*3cm的正方形;步骤102、溅背电极层(2):选择钼、镍、铝、金、银、铜、钛中的一种,使用直流溅射,靶材纯度为99.99%,功率为0.6kw,工作压强为1.0Pa;溅射两层,其中第一层厚度为100nm,第二层厚度为400nm;步骤103、蒸镀铜铟镓硒活性层(3):使用三步法制备铜铟镓硒薄膜,具体为在真空腔室中通过300℃‑1200℃高温蒸发,使铜铟镓硒成分在衬底上发生化学反应,生成铜铟镓硒化合物;首先,真空腔室真空5×10‑4Pa,真空蒸镀铟镓硒薄膜预制层,温度分别为铟900℃、镓1000℃、硒300℃;厚度范围为300‑800nm;然后再蒸镀铜铟镓硒材料,温度分别为铜1200℃、铟900℃、镓1000℃、硒300℃;厚度为2μm;衬底都保持在450℃下;步骤104、使用化学镀膜方式镀膜CdS缓冲层(4):醋酸氨、氨水、硫脲体积比例为2:3:1配置成500ml溶液,水浴温度70℃,将聚酰亚胺膜浸泡在溶液中反应30min;制得CdS薄膜厚度为50nm;步骤105、溅射窗口层窗口层(5)使用射频磁控溅射方法溅射i‑ZnO厚度为50nm,工作压强0.6Pa,功率0.8kw;使用直流磁控溅射方法溅射ZnO:Al,工作压强0.8Pa,功率1.0kw,ZnO:Al厚度为350nm;步骤106、使用蒸镀和旋涂的方式制备中间层(6);将厚度为1.0nm的n型LiF沉积在窗口层(5)上;具体制备环境为:本地真空度为5×10‑4Pa,使用膜厚监测仪观察到1.0nm时停止,蒸发时间为30min;LiF制备完成后使用旋涂法制备PEDOT;旋涂转速4000r/min,工作时间15s,得到的LiF厚度为100nm;步骤107、利用磁控溅射的方法制造电子传输层(7);利用磁控溅射的方式制备TiO2薄膜;具体为使用纯度为99.99%的TiO2靶材,工作环境的真空为5×10‑4Pa,工作压强0.5Pa,溅射功率0.5kw,溅射时间2h,所得TiO2薄膜厚度为100nm;步骤108、一步法制备钙钛矿吸收层(8);具体过程为:CH3NH3I的制备:分别取30mL质量百分数为57%的HI溶液和30mL质量百分数为40%的甲胺溶液,于三口圆底烧瓶中混合并在冰水浴中搅拌反应;5h后将反应所得产物置于100mL单口烧瓶中,通过旋转蒸发仪在50℃条件下旋蒸,所得产物通过乙醚清洗三次;随后用甲醇和乙醚的混合溶剂使产物重结晶,生成一种白色晶体,最后在真空干燥箱中干燥;分别取等质量的PbI2与CH3NH3I溶于一定量的DMF溶剂制备出1.5mM/mL的前驱体溶液;取200μL的前驱体溶液,设置匀胶机的旋涂转速为5000r/15s旋涂成膜,最后在120℃下退火90min处理得到钙钛矿吸收层(8);步骤109、旋涂法制备空穴传输层(9);将200μL Spiro‑OMETAD溶液滴在钙钛矿吸收层薄膜上,设置旋涂转速4000r/min,时间30s,150退火处理1h;所得Spiro‑OMETAD薄膜厚度为100nm;步骤110、利用条形掩膜板,真空蒸镀100nm纯度99.999%的Au做电极,从而制成光伏电池器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十八研究所,未经中国电子科技集团公司第十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201511014726.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种水族箱温控器
- 下一篇:水族箱用吸附式光纤装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的