[发明专利]一种太阳能电池片的制备方法在审
| 申请号： | 201511008173.9 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105428462A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张文锋;崔红星 | 申请（专利权）人： | 东方日升新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315609 浙江省宁波市宁海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池硅片的制备方法，包括以下步骤：(1)、对原始硅片进行清洗；(2)、对清洗后的硅片正面进行链式制绒；(3)、将上述硅片的背面背靠背进行单面扩散，硅片正面为扩散面；(4)、去PSG；(5)、对硅片的背面进行抛光处理；(6)、在扩散后的硅片正面采用pecvd法沉积减反射钝化膜；(7)、丝网印刷并烧结电极与背电场；(8)、测试分选。对硅片的正面进行单面制绒，背面采用抛光处理，减少了制绒试剂的使用，降低了成本，并且可以确保硅片的有效厚度，提高了电池硅片的背面钝化与长波的反射，有利于电池硅片正面对长波的吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、对原始硅片进行清洗；(2)、对清洗后的硅片正面进行链式制绒；(3)、将上述硅片的背面背靠背进行单面扩散，硅片正面为扩散面；(4)、去PSG；(5)、对硅片的背面进行抛光处理；(6)、在扩散后的硅片正面采用pecvd法沉积减反射钝化膜；(7)、丝网印刷并烧结电极与背电场；(8)、测试分选。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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