[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法。晶片由硅构成，在正面上通过多条分割预定线划分而形成有多个器件，该方法具有：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm的范围；改质层形成步骤，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部而从晶片的背面对与分割预定线对应的区域照射脉冲激光束，对保持机构与激光束照射机构相对地加工进给，在晶片的内部形成改质层；分割步骤，对晶片施加外力而以改质层为分割起点沿着分割预定线分割晶片。改质层形成步骤包含如下步骤：照射每1脉冲的能量比较小的第一脉冲激光束而形成第一改质层；以及照射每1脉冲的能量比较大的第二脉冲激光束而与第一改质层重叠地形成第二改质层。

主权项

一种晶片的加工方法，通过激光加工装置对晶片进行加工，所述晶片由硅构成，且在正面上通过多条分割预定线划分而形成有多个器件，所述激光加工装置具有：保持机构，其保持被加工物；激光束照射机构，其照射对于该保持机构所保持的被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束而在被加工物的内部形成改质层；以及加工进给机构，其对该保持机构与该激光束照射机构相对地进行加工进给，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm的范围；改质层形成步骤，在实施该波长设定步骤之后，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部而从晶片的背面对与该分割预定线对应的区域照射脉冲激光束，并且对该保持机构与该激光束照射机构相对地进行加工进给，而在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施该改质层形成步骤之后，对晶片施加外力而以该改质层为分割起点沿着该分割预定线分割晶片，该改质层形成步骤包含如下的步骤：第一改质层形成步骤，照射第一脉冲激光束而形成第一改质层，所述第一脉冲激光束的每1脉冲的能量是抑制裂纹形成的第一值；以及第二改质层形成步骤，照射第二脉冲激光束而与该第一改质层重叠地形成第二改质层，所述第二脉冲激光束的每1脉冲的能量是比该第一值大的第二值。