[发明专利]SiC基GaN器件的衬底通孔制作方法在审
| 申请号： | 201510998037.2 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105428222A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 孔欣;陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都嘉石科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SiC基GaN器件的衬底通孔制作方法，其包括：将SiC基GaN器件远离SiC衬底的表面键合到蓝宝石载托上；在SiC衬底表面溅射金属形成起镀层；在起镀层上电镀金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷PBO纤维，并对PBO纤维进行烘烤形成光刻掩膜层；对光刻掩膜层进行光刻以在光刻掩膜层上形成光刻孔，其中，金属掩膜层露出在光刻孔中；依次对光刻孔中的金属掩膜层和起镀层进行腐蚀以露出SiC衬底；对光刻孔中的SiC衬底进行干法刻蚀以在SiC衬底上形成通孔。通过上述方式，本发明能够在减小金属掩膜层厚度的情况下为通孔刻蚀提供有效的掩膜保护。 | ||
| 搜索关键词： | sic gan 器件 衬底 制作方法 | ||
【主权项】：
一种SiC基GaN器件的衬底通孔制作方法，其特征在于，包括：将SiC基GaN器件远离SiC衬底的表面键合到蓝宝石载托上；在所述SiC衬底表面溅射金属形成起镀层；在所述起镀层上电镀金属掩膜层；在所述金属掩膜层上涂敷PBO纤维，并对所述PBO纤维进行烘烤形成光刻掩膜层；对所述光刻掩膜层进行光刻以在所述光刻掩膜层上形成光刻孔，其中，所述金属掩膜层露出在所述光刻孔中；依次对所述光刻孔中的金属掩膜层和起镀层进行腐蚀以露出所述SiC衬底；对所述光刻孔中的SiC衬底进行干法刻蚀以在所述SiC衬底上形成通孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都嘉石科技有限公司，未经成都嘉石科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510998037.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
