[发明专利]三维集成阻变存储器的热效应评估及降低热串扰的方法在审
| 申请号： | 201510983042.6 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN106919723A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;孙鹏霄;李泠;刘明;刘琦;吕杭炳;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法，用于3D RRAM阵列的热效应评估及降低热串扰，包括步骤步骤1，通过3D傅立叶热传导方程计算阵列中温度分布；步骤2，选择热传输模式；步骤3，选择合适的阵列结构；步骤4，分析阵列中编程器件位置对于温度的影响；步骤5，分析阵列中热串扰效应；步骤6，评估热效应及热串扰；步骤7，根据评估结果改变阵列结构或修改操作参数以降低热串扰。依照本发明的方法，根据3D RRAM阵列热传输模式分析了器件位置对温度的影响，评估了热效应和热串扰，并根据评估结果选择合适的阵列结构以及操作参数，有效提高了器件的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 集成 存储器 热效应 评估 降低 热串扰 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，用于3D RRAM阵列的热效应评估及降低热串扰，包括步骤：步骤1，通过3D傅立叶热传导方程计算阵列中温度分布；步骤2，选择热传输模式；步骤3，选择合适的阵列结构；步骤4，分析阵列中编程器件位置对于温度的影响；步骤5，分析阵列中热串扰效应；步骤6，评估热效应及热串扰；步骤7，根据评估结果改变阵列结构或修改操作参数以降低热串扰。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510983042.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种喷雾式彩虹景观灯
- 下一篇：一种用于室外装饰的LED灯具
