[发明专利]一种半导体器件制造方法及由该方法制得的半导体器件在审
| 申请号： | 201510978986.4 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105529272A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 孙晓儒;陈虞平;王熹伟;刘海波;胡兴正 | 申请（专利权）人： | 福建省福芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;吕元辉 |
| 地址： | 350001 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件制造方法及由该方法制得的半导体器件，其中方法包括如下步骤：在N型衬底上生长一层N型外延层；在N型外延层上生长一层本征外延层；在本征外延层上注入N型杂质；在本征外延层的预定位置上注入P型杂质；重复上述第二到第四步骤；进行热退火；在上述预定位置上注入P型阱。本发明降低了工艺难度及成本，同时性能上未见明显减弱，其性价比更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 法制 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在N型衬底上生长一层N型外延层；在N型外延层上生长一层本征外延层；在本征外延层上注入N型杂质；在本征外延层的预定位置上注入P型杂质；重复上述第二到第四步骤；进行热退火；在上述预定位置上注入P型阱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省福芯电子科技有限公司，未经福建省福芯电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510978986.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于低温覆晶接合的接合垫结构
- 下一篇：晶体管及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
