[发明专利]纳米结构在基底上的可控生长以及基于此的电子发射器件有效
| 申请号： | 201510962705.6 | 申请日： | 2006-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105575743B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 | 申请（专利权）人： | 斯莫特克有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J3/02;H01J9/02;C01B32/162;C23C16/04;C23C16/26;D01F9/08;D01F9/127;H01L51/00;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 基底 可控 生长 以及 基于 电子 发射 器件 | ||
【主权项】：
1.一种电子束直写机，包括：具有底部和尖端的纳米结构，所述底部附于第一电极；设置在所述纳米结构周围的多个第二电极；以及将第一电极连接至所述多个第二电极的电路，所述电路被设置为：使电压差在第一电极和所述多个第二电极之间出现；使得电子从尖端发射；以及使得尖端在空间上向所述多个第二电极的其中一个移动。
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