[发明专利]纳米结构在基底上的可控生长以及基于此的电子发射器件有效
| 申请号: | 201510962705.6 | 申请日: | 2006-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN105575743B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
| 发明(设计)人: | 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 | 申请(专利权)人: | 斯莫特克有限公司 |
| 主分类号: | H01J1/304 | 分类号: | H01J1/304;H01J3/02;H01J9/02;C01B32/162;C23C16/04;C23C16/26;D01F9/08;D01F9/127;H01L51/00;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 瑞典*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 结构 基底 可控 生长 以及 基于 电子 发射 器件 | ||
1.一种电子束直写机,包括:
具有底部和尖端的纳米结构,所述底部附于第一电极;
设置在所述纳米结构周围的多个第二电极;以及
将第一电极连接至所述多个第二电极的电路,所述电路被设置为:
使电压差在第一电极和所述多个第二电极之间出现;
使得电子从尖端发射;以及
使得尖端在空间上向所述多个第二电极的其中一个移动。
2.根据权利要求1所述的电子束直写机,其中所述多个第二电极在所述纳米结构周围对称设置。
3.根据权利要求1所述的电子束直写机,其中所述纳米结构的底部包括多个层,其中所述多个层中的至少一个层是半导体材料层,且所述多个层中的另一层是催化剂层。
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