[发明专利]由氢注入工艺控制恢复特性的快恢复二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种由氢注入工艺控制恢复特性的快恢复二极管的制备方法，对已经完成正面工序、并在正面带有保护胶的硅片上进行制作，⑴、在硅片正面用离子注入方式将氢离子注入到有源区P型掺杂区中，在硅片的P型杂质区中由撞击而产生微缺陷；⑵、将硅片正面保护胶去除后放入退火炉内，修复部分缺陷区域并在设定位置形成微缺陷区域，形成对少子寿命的形成影响的复合中心；⑶、在硅片正面采用金属溅射或蒸发，经光刻腐蚀形成欧姆接触的金属阳极层，⑷、将硅片背面减薄后，用蒸发或溅射法在硅片背面制作背面金属层形成金属阴极层。本发明采用氢离子注入及后续低温退火工艺，形成稳定的局部缺陷区域，能降低有源区对基区的注入和少数载流子的寿命。

主权项

一种由氢注入工艺控制恢复特性的快恢复二极管的制备方法，其特征在于：对已经完成正面工序、并在正面带有保护胶的硅片上进行制作，⑴、在硅片正面用离子注入方式将氢离子注入到有源区P型掺杂区中，所述氢离子注入时的能量在120KeV～0.5MeV、注入剂量在1e13～5e15，氢离子注入时形成的平均射程在1.1～7um，在硅片的P型杂质区中由撞击而产生微缺陷区；⑵、将硅片正面保护胶去除后放入退火炉内，在保护气体气氛下，在270～345℃下进行退火处理，且退火时间在0.5～5h，以修复部分缺陷区并在设定的位置形成微缺陷区域，形成对少子寿命的形成影响的复合中心，用于降低有源区对基区的注入和少数载流子的寿命；⑶、在硅片正面采用金属溅射或蒸发，经光刻腐蚀形成欧姆接触的金属阳极层；⑷、将硅片背面减薄后，用蒸发或溅射法在硅片背面制作背面金属层，形成金属阴极层，完成快恢复二极管的制作。