[发明专利]OLED器件封装结构的制备方法

摘要

本专利公开了一种封装方法，具体是OLED器件封装结构的制备方法。OLED器件封装结构的制备方法，包括在柔性基板设置OLED器件、无机保护层、围堰膜层以及填充膜层，围堰膜层呈环形，所述填充膜层内掺入有掺杂颗粒，所述掺杂颗粒为氧化铝、氮化硅与三氧化二铽的混合物。本专利克服了现有技术中存在的经激光固化后的封装材料呈现黑色的技术缺陷，提供了一种OLED器件封装结构的制备方法改良封装材料，使生产出OLED器件封装结构保持无色透明状态。

主权项

OLED器件封装结构的制备方法, 其特征在于：包括如下步骤：A. 在柔性基板安装OLED器件；B. 在柔性基板上包覆OLED器件形成无机保护层；在柔性基板上对应OLED器件区域的四周形成闭合的围堰膜层；C.在围堰膜层和无机保护层之间填充环氧树脂或聚合物单体胶，环氧树脂或聚合物单体胶内掺入有掺杂颗粒，所述掺杂颗粒包括氧化铝、氮化硅与三氧化二铽三者组成的混合物，然后用激光束沿着薄膜层的轮廓扫描一周，使环氧树脂熔融固化即形成近OLED层；在围堰膜层和近OLED层之间填充环氧树脂或聚合物单体胶，环氧树脂或聚合物单体胶内掺入有掺杂颗粒，所述掺杂颗粒包括氧化铝、氮化硅与三氧化二铽三者组成的混合物，然后用激光束沿着薄膜层的轮廓扫描一周，使环氧树脂熔融固化即形成远OLED层；所述近OLED层与远OLED层组成填充膜层，近OLED层内掺杂颗粒的粒径在12～34纳米之间，远OLED层内掺杂颗粒的粒径在570～1200纳米之间；所述围堰膜层的宽度为0.6～ 1.5 ㎜，高度为50 ～ 100μm，围堰膜层采用光敏树脂，粘度为550000 ～ 650000mPa•s；所述掺杂颗粒在近OLED层与远OLED层中的质量浓度均介于0.001wt％与0.5wt％之间。