[发明专利]存储元件的制造方法

摘要

本发明提供一种存储元件的制造方法，包括提供具有第一区与第二区的衬底。形成第一介电层于第一区的衬底上。形成导体层于第二区的衬底上。导体层的顶面低于第一介电层的顶面。形成第二介电层于衬底上。移除部分第二介电层与部分导体层，以形成第一开口于第二区的导体层与第二介电层中。第一开口暴露衬底的表面。移除部分第二区的衬底，以形成沟渠于第二区的衬底中。形成第三介电层于沟渠以及第一开口中。本发明可减少工艺步骤，以减少工艺成本。

主权项

一种存储元件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区与第二区；形成多个字线组于所述第一区的所述衬底中，每一字线组具有两个埋入式字线；形成第一介电层于所述第一区的所述衬底上；形成导体层于所述第二区的所述衬底上，其中所述导体层的顶面低于所述第一介电层的顶面；共形形成第二介电层于所述衬底上；进行第一蚀刻工艺，移除部分所述第二介电层与部分所述导体层，以形成第一开口于所述第二区的所述导体层与所述第二介电层中，其中所述第一开口暴露所述第二区的所述衬底的表面；进行第二蚀刻工艺，移除部分所述第二区的所述衬底，以形成沟渠于所述第二区的所述衬底中，其中所述第一开口位于所述沟渠上；形成第三介电层于所述沟渠以及所述第一开口中；移除部分所述第一介电层与部分所述第三介电层，以形成第二开口于剩余的所述第一介电层上，且形成第三开口于剩余的所述第三介电层上；以及形成第四介电层于所述第二开口与所述第三开口中。