[发明专利]芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置在审
| 申请号： | 201510901642.3 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN105505244A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 大西谦司;盛田美希;宍户雄一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J133/08;C09J11/08;C09J11/04;H01L21/683;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置。本发明提供即使在高温下长时间暴露也可以减少芯片接合薄膜与被粘物的边界处空隙的产生的芯片接合薄膜。一种芯片接合薄膜，其特征在于，含有含腈基热固性丙烯酸类共聚物和固化剂，使用差示量热计，以10℃/分钟的升温速度从25℃到300℃进行测定时的放热量为10mJ/mg以下。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 接合 薄膜 切割 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种芯片接合薄膜，其中，含有含腈基热固性丙烯酸类共聚物和固化剂，使用差示量热计，以10℃/分钟的升温速度从25℃到300℃进行测定时的放热量为10mJ/mg以下，所述含腈基热固性丙烯酸类共聚物含有环氧基，并且环氧值为0.1eq/kg以上且1eq/kg以下。
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