[发明专利]一种磁阻式随机存储器的位元制造方法在审
| 申请号： | 201510880517.9 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105552215A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞盛;左正笏;李辉辉;徐庶;韩谷昌;孟皓;蒋信;刘波 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 张慧英 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻式随机存储器(MRAM)，尤其涉及一种磁阻式随机存储器的位元制造方法，磁性隧道结的刻蚀完成之后，沉积氧化镁作为覆盖层覆盖磁性隧道结。本发明的有益效果在于：使用氧化镁来覆盖刻蚀完成后的磁性隧道结，经过退火工艺(或也可以不经过退火工艺)，通过氧化镁晶体结构对周围材料晶体结构的映衬效应可以有效修复被破坏的边缘部分的晶体结构，使其恢复到BCC(001)质构，从而有效降低刻蚀过程对磁性隧道结的磁阻值的影响，提高MRAM芯片的性能和良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 随机 存储器 位元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻式随机存储器的位元制造方法，其特征在于，磁性隧道结的刻蚀完成之后，沉积氧化镁作为覆盖层覆盖磁性隧道结。
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