[发明专利]一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法

摘要

本发明公开了一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法。该方法在半导体表面生长叠层栅介质，并以光刻胶为掩膜，利用干法（或者湿法）刻蚀对于不同栅介质刻蚀（或者腐蚀）速率的差异，通过刻蚀（或者腐蚀）在栅脚两侧形成形状规则大小可控的孔洞，栅蒸发剥离后可以得到剖面形貌良好和寄生电容可控的T型栅。优点：在三层致密-疏松-致密的栅介质之间插入薄层的Si-O层，形成五层介质结构，通过调整干法刻蚀条件，形成合适的侧蚀深度，同时也可调整各介质层厚度比例，用以控制侧蚀的高度，进而控制形成介质空洞的尺寸，在栅蒸发剥离后，T型栅的栅帽下方会形成一个尺寸可控的介质空洞，使得栅寄生电容减小和频率特性提升变得可控。

主权项

 一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法，其特征是该方法包括以下工艺步骤：1）在衬底上采用MBE的方法依次形成缓冲层、沟道层、势垒层、低掺杂GaAs层和高掺杂GaAs层；2）在高掺杂GaAs层上形成两个欧姆接触区分别作为赝配高电子迁移率晶体管的源电极和漏电极，并在两个欧姆接触区之间利用干法刻蚀或者湿法腐蚀的方法去除高掺杂GaAs层以形成一个宽槽；3）在两个欧姆接触电极之间的表面淀积五层介质层，淀积方法包括等离子体增强化学汽相淀积、电子束蒸发；4）利用干法刻蚀或湿法腐蚀形成介质窗口及空洞，通过调整刻蚀程序或五层介质的厚度比例得到需要尺寸的介质空洞；5）以介质窗口为掩膜，利用湿法腐蚀或者干法刻蚀窗口处的低掺杂GaAs层，形成细槽；6）可选择电子束蒸发栅电极金属；7）在化合物半导体外延层上形成两个欧姆接触区分别作为晶体管的源电极和漏电极。