[发明专利]一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法

权利要求书

1.一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法，其特征是该方法包括以下工艺步骤：

1）在衬底上采用MBE的方法依次形成缓冲层、沟道层、势垒层、低掺杂GaAs层和高掺杂GaAs层；

2）在高掺杂GaAs层上形成两个欧姆接触区分别作为赝配高电子迁移率晶体管的源电极和漏电极，并在两个欧姆接触区之间利用干法刻蚀或者湿法腐蚀的方法去除高掺杂GaAs层以形成一个宽槽；

3）在两个欧姆接触电极之间的表面淀积五层介质层，淀积方法包括等离子体增强化学汽相淀积、电子束蒸发；

4）利用干法刻蚀或湿法腐蚀形成介质窗口及空洞，通过调整刻蚀程序或五层介质的厚度比例得到需要尺寸的介质空洞；

5）以介质窗口为掩膜，利用湿法腐蚀或者干法刻蚀窗口处的低掺杂GaAs层，形成细槽；

6）可选择电子束蒸发栅电极金属；

7）在化合物半导体外延层上形成两个欧姆接触区分别作为晶体管的源电极和漏电极。

2.根据权利要求1所述的一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法，其特征是所述的缓冲层采用AlGaAs，沟道层是生长InGaAs，势垒层是生长AlGaAs，势垒层上生长低掺杂GaAs层和高掺杂GaAs层。

3.根据权利要求1所述的一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法，其特征是所述的5层介质层，最外两层为致密介质层，最中间为疏松介质层，其余两层为最致密介质层，介质材料包括SiN_x、SiO_x和SiON_x等材料，各层厚度根据设计需要而定。

4.根据权利要求3所述的一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法，其特征是5层介质层，自上而下开有介质窗口，其中中间疏松介质层上形成真空空洞。

5.根据权利要求4所述的一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法，5层介质层中各介质层的厚度根据实际需求所定。

6.根据权利要求1所述的一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法，其特征是细槽位于宽槽内，且处于介质窗口下方。

7.根据权利要求1所述的一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法，其特征是形成的介质空洞位于栅电极金属下方，栅剥离后生长介质钝化。