[发明专利]一种自旋霍尔效应辅助的磁性随机存储器在审

专利信息
申请号: 201510870895.9 申请日: 2015-12-01
公开(公告)号: CN105390609A 公开(公告)日: 2016-03-09
发明(设计)人: 李辉辉;左正笏;徐庶;蒋信;韩谷昌;刘瑞盛;孟皓;刘波 申请(专利权)人: 中电海康集团有限公司
主分类号: H01L43/06 分类号: H01L43/06;G11C11/18
代理公司: 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 代理人: 张慧英
地址: 311121 浙江省杭州市余*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种自旋霍尔效应辅助的磁性随机存储器,本发明利用自旋霍尔效应来降低磁性存储器的功耗,其中磁性层被放置于产生自旋霍尔效应的重金属层上方(或下方),与金属电极之间有一层绝缘层相隔。该发明可以有效地缩短水平磁化层与记录层的距离,降低对相邻的记录位元的干扰。
搜索关键词: 一种 自旋 霍尔 效应 辅助 磁性 随机 存储器
【主权项】:
一种自旋霍尔效应辅助的磁性随机存储器,其特征在于,包括金属电极(2)、磁性隧道结(1)、产生自旋霍尔效应的重金属层(3)、绝缘层(4)、产生偏置磁场的磁性层(5);绝缘层(4)设于磁性层(5)与重金属层(3)之间;磁性隧道结(1)连接于重金属层(3)上方或下方;金属电极(2)通过磁性隧道结(1)与重金属层(3)相互连接。
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