[发明专利]非易失性存储器设备和具有应力减小的相应操作方法在审
| 申请号： | 201510862440.2 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106205701A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | F·格兰德;A·希格诺瑞罗;S·帕加诺;M·吉亚奎恩塔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;庞淑敏 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器设备(20)，被提供有：存储器阵列(22)，所述存储器阵列(22)包括布置成行和列的存储器单元(1)，每个单元具有相应电流传导区(4、5)和控制栅极区(8)，并且同一行的存储器单元(1)的控制栅极区(8)被耦合到控制栅极端子(CG)并被偏置在相应控制栅极电压(VCG)；以及控制栅极解码器(26)，其用于根据将对存储器单元执行的操作，选择各行的控制栅极区并且将其偏置在相应控制电压(VCG)。存储器单元的电流传导区被布置在同一块体阱(24)内，并且控制栅极解码器(26)具有多个(N)驱动块(30)，所述多个驱动块中每个驱动块向所述阵列的相应多个(M)行提供控制栅极电压，并且所述多个驱动块被提供于相互分离且不同的相应偏置阱(31)中。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 设备 具有 应力 减小 相应 操作方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器设备(20)，包括：存储器阵列(22)，所述存储器阵列(22)包括布置成行和列的存储器单元(1)，每个存储器单元(1)被提供有相应电流传导区(4、5)和控制栅极区(8)，并且同一行的存储器单元(1)的所述控制栅极区(8)被耦合到控制栅极端子(CG)并被偏置在相应控制栅极电压(VCG)；以及控制栅极解码器(26)，所述控制栅极解码器(26)被配置成根据将对所述存储器单元(1)执行的操作，选择存储器阵列(22)的各行存储器单元(1)的所述控制栅极区(8)以及相应控制栅极端子(CG)并将其偏置在相应各控制电压(VCG)，其特征在于，所述存储器阵列(22)的存储器单元(1)的电流传导区(4、5)被布置在同一块体阱(24)内，所述块体阱(24)被设计成被偏置在块体电压(VB)，并且所述控制栅极解码器(26)包括多个(N)驱动块(30)，所述驱动块(30)被设计成向所述存储器阵列(22)的相应多个(M)行提供所述控制栅极电压(VCG)，并且被提供于相互分离且不同的相应偏置阱(31)中。
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