[发明专利]一种低失真MOSFET大功率放大电路在审
申请号: | 201510850830.8 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN105305973A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 熊永波 | 申请(专利权)人: | 北京机械设备研究所 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F3/20 |
代理公司: | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人: | 岳洁菱;张国虹 |
地址: | 100854 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种低失真MOSFET大功率放大电路,包括:电阻R1~电阻R9、电容C1、变压器T1、变压器T2、N型功率MOSFET管V1和N型功率MOSFET管V2。将电源正负极分别接VCC和GND,输入信号正负极分别接Vin和SG,输出电源正负极分别接Vo+和Vo-。工作时在输入信号的正负半周,功率MOSFET管V1和功率MOSFET管V2交替进入放大状态工作,在变压器T2负反馈作用下,输出信号不对称失真很小。本电路具有控制电路简易、输出功率大、失真度低等优点,解决目前MOSFET功率放大电路输出信号失真度大的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 失真 mosfet 大功率 放大 电路 | ||
【主权项】:
一种低失真MOSFET大功率放大电路,包括:电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5,其特征在于还包括:变压器T1、变压器T2、N型功率MOSFET管V1、N型功率MOSFET管V2、电阻R1、电阻R6~电阻R9和电容C1;变压器T1的原边1和2分别与输入信号Vin端和输入信号地SG连接,变压器T1的副边3与电阻R1的一端和电阻R2的一端连接,变压器T1的副边5与电容C1的一端和电阻R3的一端连接,变压器T1的副边4与电源负极GND连接,电阻R1的另一端与电容C1的另一端连接;电阻R2的另一端与电阻R4的一端和电阻R6的一端连接,电阻R4的另一端与电源正极VCC连接,电阻R6的另一端与N型功率MOSFET管V1的栅极G连接;电阻R3的另一端与电阻R5的一端和电阻R7的一端连接,电阻R5的另一端与电源正极VCC连接,电阻R7的另一端与N型功率MOSFET管V2的栅极G连接;N型功率MOSFET管V1的漏极D与电源正极VCC连接,N型功率MOSFET管V1的栅极G与电阻R8的一端连接,N型功率MOSFET管V1的源极S与电阻R8的另一端连接;N型功率MOSFET管V2的漏极D与电源正极VCC连接,N型功率MOSFET管V2的栅极G与电阻R9的一端连接,N型功率MOSFET管V2的源极S与电阻R9的另一端连接;变压器T2的原边1与N型功率MOSFET管V1的源极S连接,变压器T2的原边2与电源负极GND连接,变压器T2的原边3与N型功率MOSFET管V2的源极S连接,变压器T2的副边4与输出正极Vo+连接,变压器T2的副边5与输出负极Vo‑连接;工作时,将输入电源正负极分别接VCC和GND,输入信号正负极分别接Vin和SG,输出电源正负极分别接Vo+和Vo‑;输入信号通过变压器T1放大为两个极性相反的半波信号,在输入信号的正半周期变压器T1的副边3输出正的半波信号,通过电阻R2、电阻R6和电阻R8使N型功率MOSFET管V1处于放大状态工作,此时变压器T1的副边5输出与副边3输出信号极性相反,则通过电阻R3、电阻R7和电阻R9使N型功率MOSFET管V2处于截止状态停止工作;在输入信号的负半周期变压器T1的副边5输出正的半波信号,通过电阻R3、电阻R7和电阻R9使N型功率MOSFET管V2处于放大状态工作,此时变压器T1的副边3输出与副边5输出信号极性相反,则通过电阻R2、电阻R6和电阻R8使N型功率MOSFET管V1处于截止状态停止工作;电阻R1和电容C1起到滤波作用,消除输入信号干扰;N型功率MOSFET管V1、N型功率MOSFET管V2和变压器T2原边1、2、3连接成两个跟随放大电路,在输入信号的正负半周期交替工作:在输入信号正半周期,N型功率MOSFET管V1和变压器T2的原边1、2组成跟随放大电路,将输入信号进行功率放大,通过变压器T2副边4、5输出;在输入信号负半周期,功率MOSFET管V2和变压器T2的原边3、2组成跟随放大电路,将输入信号进行功率放大,通过变压器T2副边4、5输出;该跟随电路采用负反馈调整控制方式,实现输出信号跟踪输入信号,具有抗负载阻抗变化功能,实现功率输出,同时输出信号失真度得到了控制;电阻R4为偏置电阻,电阻R2为分压电阻,通过电阻R4和电阻R2的偏置分压作用使得输入信号电压接近零时N型功率MOSFET管V1仍处于放大状态,减少了正半周期输出交越失真;同理电阻R5为偏置电阻,电阻R3为分压电阻,通过电阻R5和电阻R3的偏置分压作用使得输入信号电压接近零时N型功率MOSFET管V2仍处于放大状态,减少了负半周期输出交越失真;由于N型功率MOSFET管V1和N型功率MOSFET管V2为同型号MOSFET管,放大倍数容易选择一致,同时由于变压器T2负反馈调节的作用,效降低正负半周期输出波形的不对称失真。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京机械设备研究所,未经北京机械设备研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510850830.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。